RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB 考慮すべき理由
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,475.5 left arrow 16.0
    テスト平均値
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 56
    周辺 -107% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8800
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,878.3 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,475.5 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    8800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    598 left arrow 3873

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAMの比較

Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
メモリRAM