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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 73
    周辺 -161% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 4.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.7 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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