RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 42
    周辺 -40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.0 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2095 left arrow 3636

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAMの比較

Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
メモリRAM