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Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

総合得点
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Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

総合得点
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston HX316C10F/8 8GB 考慮すべき理由
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 36
    周辺 -33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2585 left arrow 3342

Kingston HX316C10F/8 8GB RAMの比較

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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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AMD R534G1601U1S 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 9965640-015.A00G 32GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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