RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston HX318C10FK/4 4GB 考慮すべき理由
Kingston HX318C10FK/4 4GB
バグを報告する
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 69
    周辺 -130% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 4.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.1 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1116 left arrow 3019

Kingston HX318C10FK/4 4GB RAMの比較

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre 8GB
Kllisre 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
メモリRAM