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Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB vs Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB

総合得点
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Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

総合得点
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Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 42
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 13.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    14.5 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2474 left arrow 2350

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Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
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