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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

総合得点
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

総合得点
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
バグを報告する
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 60
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 5.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.4 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1411 left arrow 2181

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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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AMD R9S48G3206U2S 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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