RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 27
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 13.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2432 left arrow 2323

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAMの比較

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAMの比較

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
メモリRAM