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Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

総合得点
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR533D2N4 512MB 考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 75
    周辺 -103% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,672.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 4200
    周辺 5.07 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    1,943.5 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,672.1 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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