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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
総合得点
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
50
周辺 -72% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
1,905.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
29
読み出し速度、GB/s
5,143.3
14.2
書き込み速度、GB/秒
1,905.1
10.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
855
2984
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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