RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
バグを報告する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 121
    周辺 -303% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 2.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 2.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    121 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2.5 left arrow 11.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    425 left arrow 1762

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB RAMの比較

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM