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Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
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Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB

総合得点
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB 考慮すべき理由
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 41
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 6.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.3 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2001 left arrow 2432

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
メモリRAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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