RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 38
    周辺 29% 低遅延
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.2 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2173 left arrow 2283

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
メモリRAM
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
メモリRAM
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
メモリRAM