RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
51
周辺 -34% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
38
読み出し速度、GB/s
15.6
12.9
書き込み速度、GB/秒
11.8
10.1
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2690
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link