RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

Mushkin 991586 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

総合得点
star star star star star
Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Mushkin 991586 2GB 考慮すべき理由
Mushkin 991586 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 31
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 7.3
    テスト平均値
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2156 left arrow 2307

Mushkin 991586 2GB RAMの比較

Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB RAMの比較

PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
メモリRAM