RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 51
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.3
    テスト平均値
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 51
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 10.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2486 left arrow 2286

Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB RAMの比較

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
メモリRAM