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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 37
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2395 left arrow 2697

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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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