RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
star star star star star
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 85
    周辺 56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    テスト平均値
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 85
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2395 left arrow 1838

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAMの比較

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB RAMの比較

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
メモリRAM
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
メモリRAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
メモリRAM