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Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB

Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB

総合得点
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    32 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1879 left arrow 2432

Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB RAMの比較

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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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メモリRAM
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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