RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
比較する
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
36
周辺 -64% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
22
読み出し速度、GB/s
14.9
16.7
書き込み速度、GB/秒
9.5
13.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
3188
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link