RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB 考慮すべき理由
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 36
    周辺 -6% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 3075

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較

Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB RAMの比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
メモリRAM
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
メモリRAM