RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.6
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 54
    周辺 -38% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 3046

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB RAMの比較

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM