Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

総合得点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 18.6

テスト平均値

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

考慮すべき理由
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 54

周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

15.8 1,308.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 5300

周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

54 32
読み出し速度、GB/s

3,573.5 18.6
書き込み速度、GB/秒

1,308.1 15.8
メモリ帯域幅、mbps

5300 25600

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

371 3851

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB