RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 54
    周辺 -50% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 2737

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
メモリRAM
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
メモリRAM