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Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

総合得点
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Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

総合得点
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 69
    周辺 32% 低遅延
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    6.3 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    4.8 left arrow 1,779.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 4200
    周辺 2.52 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 69
  • 読み出し速度、GB/s
    3,448.1 left arrow 6.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,779.3 left arrow 4.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    298 left arrow 1148

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