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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

総合得点
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 29
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.7
    テスト平均値
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 9.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1578 left arrow 1204

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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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