RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 72
    周辺 -213% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 1,938.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    72 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,938.7 left arrow 16.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    677 left arrow 4015

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAMの比較

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM