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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 59
    周辺 29% 低遅延
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB 考慮すべき理由
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.1 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 10600
    周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 20.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 2382

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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
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