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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
42
周辺 -2% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.9
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
41
読み出し速度、GB/s
9.7
12.9
書き込み速度、GB/秒
6.0
9.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1958
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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