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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 42
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 10600
    周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 3093

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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston KC6844-ELG37 1GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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