RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
71
周辺 -97% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
36
読み出し速度、GB/s
2,831.6
14.5
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
3192
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB RAMの比較
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link