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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 35
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 22.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 16.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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