RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
比較する
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
35
周辺 -25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.6
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
28
読み出し速度、GB/s
13.7
18.6
書き込み速度、GB/秒
9.6
15.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
3550
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link