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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 16.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3832

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
メモリRAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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