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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

総合得点
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Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB 考慮すべき理由
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 39
    周辺 -77% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2322 left arrow 3622

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
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