Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

総合得点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

総合得点

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

41 47

周辺 13% 低遅延

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.2 14

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 9.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

41 47
読み出し速度、GB/s

14.0 14.2
書き込み速度、GB/秒

9.2 12.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2356 2576

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston XRMWRN-HYA 16GB

Kingston XRMWRN-HYA 16GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB