RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

総合得点
star star star star star
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB 考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 16.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 39
    周辺 -15% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 1,597.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    5,022.9 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,597.0 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    753 left arrow 3193

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較

A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM