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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 27
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3097

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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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