PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 66

周辺 59% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

8.4 7.9

テスト平均値

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.9 13.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 66
読み出し速度、GB/s

13.8 15.9
書き込み速度、GB/秒

8.4 7.9
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 1877

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

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