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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 32
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 9.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2017

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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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