RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 33
    周辺 18% 低遅延
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2665

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U2K 4GB
AMD AE34G1601U2K 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
メモリRAM