RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

総合得点
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 38
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2753 left arrow 3614

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAMの比較

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
メモリRAM