RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
Kingston KDK8NX-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 38
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2753 left arrow 3142

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM