RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比較する
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
総合得点
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
85
周辺 49% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
11.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
6.0
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
85
読み出し速度、GB/s
13.2
11.3
書き込み速度、GB/秒
9.3
6.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2285
1118
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAMの比較
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link