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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 10.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.6
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 40
    周辺 -29% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 6.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
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