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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 44
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    テスト平均値
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1806 left arrow 1927

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