RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 36
    周辺 31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 15.1
    テスト平均値
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2871

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB RAMの比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
メモリRAM