RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 29
    周辺 14% 低遅延
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 15.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3713

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Mushkin 992018 (997018) 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
メモリRAM