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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

総合得点
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 29
    周辺 14% 低遅延
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3323

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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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メモリRAM
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