RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 34
    周辺 26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 10.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2416

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM